Teile-Nr.

ROHM HP8KC5 Zweifach N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 12 A 20 W, 8-Pin HP8KC5TB1 HSOP-8

RS Best.-Nr.:: 331-684
Herst. Teile-Nr.:: HP8KC5TB1
Marke:: ROHM

ROHM HP8KC5 Zweifach N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 12 A 20 W, 8-Pin HP8KC5TB1 HSOP-8

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RS Best.-Nr.:: 331-684
Herst. Teile-Nr.:: HP8KC5TB1
Marke:: ROHM

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	ROHM
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Zweifach N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	12A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	60V
	Serie	HP8KC5
	Gehäusegröße	HSOP-8
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	139mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	3.1nC
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	20W
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	Pb-Free Plating, RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke ROHM
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Zweifach N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 12A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 60V
	Serie HP8KC5
	Gehäusegröße HSOP-8
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 139mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 3.1nC
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 20W
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen Pb-Free Plating, RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - HP8KC5TB1

Der ROHM Power MOSFET ist ein MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand, der sich ideal für Schalt- und Motorantriebsanwendungen eignet. Dieser Leistungs-MOSFET wird in einem kleinen oberflächenmontierbaren Gehäuse geliefert.

Pb-freie Beschichtung

RoHS-Konformität

Halogenfrei

100 Prozent Rg- und UIS-getestet

ROHM HP8KC5 Zweifach N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 12 A 20 W, 8-Pin HP8KC5TB1 HSOP-8

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