ROHM RS6G122CH Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung -40 V 125 W, 8-Pin HSOP-8

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Herst. Teile-Nr.:
RS6G122CHTB1
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

Kabelkanaltyp

Typ N

Drain-Source-Spannung Vds max.

-40V

Gehäusegröße

HSOP-8

Serie

RS6G122CH

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.20mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

52nC

Maximale Verlustleistung Pd

125W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

3mm

Breite

3 mm

Höhe

1mm

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET von ROHM ist für einen hohen Wirkungsgrad in anspruchsvollen Anwendungen ausgelegt. Mit einer maximalen Betriebsspannung von 40 V und einem kontinuierlichen Ablassstrom von bis zu 225 A ist er ideal für den Einsatz in Motorantrieben und DC/DC-Wandlern. Das robuste HSOP8-Gehäuse gewährleistet ein effektives Wärmemanagement mit einem geringen Wärmewiderstand und fördert eine zuverlässige Leistung auch unter hohen Lastbedingungen. Mit seiner strengen RoHS-Konformität eignet sich das Gerät für umweltbewusste Designs und garantiert gleichbleibende Zuverlässigkeit und Sicherheit in verschiedenen elektronischen Anwendungen.

Niedriger Einschaltwiderstand von 1,20 mΩ, der die Effizienz erhöht

Hochleistungsgehäuse (HSOP8) für effektive Wärmeableitung

Pb-freie Beschichtung erfüllt die RoHS-Normen für Umweltsicherheit

Die halogenfreie Konstruktion gewährleistet die Einhaltung der Sicherheitsvorschriften

100 % Rg und UIS auf Zuverlässigkeit unter rauen Bedingungen geprüft

Entwickelt für Hochleistungsanwendungen mit extremen Stromverhältnissen

Avalanche-zertifiziert für Einzelimpulsfähigkeit bis zu 40 A, was Robustheit gewährleistet

Integrierte Sicherheitsfunktionen für potenzielle Ausfallszenarien

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