ROHM HP8 Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung 26 W, 8-Pin HSOP-8 HP8KC7TB1

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RS Best.-Nr.:
264-758
Herst. Teile-Nr.:
HP8KC7TB1
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

HSOP-8

Serie

HP8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

11.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

22.0nC

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

26W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS, Halogen Free

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Der ROHM 60V 24A Dual Nch+Nch ist ein MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand, der sich ideal für Schaltanwendungen eignet.

Kleines Oberflächenmontagegehäuse (HSOP8)

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