ROHM Dual (Nch+Pch) HP8 Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung 2 W, 8-Pin HSOP-8 HP8MB5TB1

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264-760
Herst. Teile-Nr.:
HP8MB5TB1
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

Typ P, Typ N

Produkt Typ

MOSFET

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

HP8

Gehäusegröße

HSOP-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

46mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Dual (Nch+Pch)

Normen/Zulassungen

No

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Der ROHM 40V 16,5A Dual Nch+Pch ist ein MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand, der sich ideal für Schaltanwendungen eignet.

Kleines Oberflächenmontagegehäuse (HSOP8)

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