ROHM HP8 Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 24 A 26 W, 8-Pin HSOP-8 HP8KB7TB1

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264-755
Herst. Teile-Nr.:
HP8KB7TB1
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

24A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

HP8

Gehäusegröße

HSOP-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

8.0mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

26W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

27.0nC

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Der ROHM 40V 24A Dual Nch+Nch ist ein MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand, der sich ideal für Schaltanwendungen eignet.

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