ROHM HP8KE5 Zweifach N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 8.5 A 20 W, 8-Pin HP8KE5TB1 HSOP-8

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Rolle mit 10 Stück)*

CHF.6.83

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 100 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Gurtabschnitt*
10 - 90CHF.0.683CHF.6.83
100 - 240CHF.0.651CHF.6.49
250 - 490CHF.0.599CHF.6.01
500 - 990CHF.0.557CHF.5.53
1000 +CHF.0.536CHF.5.31

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
331-686
Herst. Teile-Nr.:
HP8KE5TB1
Marke:
ROHM
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Zweifach N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

8.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

HSOP-8

Serie

HP8KE5

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

193mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

20W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

2.9nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der ROHM Power MOSFET ist ein MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand, der sich ideal für Schalt- und Motorantriebsanwendungen eignet. Dieser Leistungs-MOSFET wird in einem kleinen oberflächenmontierbaren Gehäuse geliefert.

Pb-freie Beschichtung

RoHS-Konformität

Halogenfrei

100 Prozent Rg- und UIS-getestet

Verwandte Links