ROHM N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1.2 kV / 22 A 165 W, 3-Pin TO-247N
- RS Best.-Nr.:
- 235-2794
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT2160KEGC11
- Marke:
- ROHM
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- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 1.2 kV | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 22 A | |
| Maximale Verlustleistung (Pd) | 165 W | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gehäusegröße | TO-247N | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Durchlassspannung (Vf) | 1.2 V | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 160 mΩ | |
| Gate-Source-spannung max (Vgs) | 22 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs | 62 nC | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 1.2 kV | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 22 A | ||
Maximale Verlustleistung (Pd) 165 W | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gehäusegröße TO-247N | ||
Automobilstandard Nein | ||
Durchlassspannung (Vf) 1.2 V | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 160 mΩ | ||
Gate-Source-spannung max (Vgs) 22 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs 62 nC | ||
The ROHM SCT series N-channel SiC power MOSFET suitable for solar inverters, DC/DC converters, induction heating and motor drives. It has low on state resistance and fast switching speed.
Fast reverse recovery
Easy to parallel
Simple to drive
Pb-free lead plating
RoHS compliant
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