ROHM Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 10 A 85 W, 3-Pin TO-247N
- RS Best.-Nr.:
- 235-2805
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT2450KEHRC11
- Marke:
- ROHM
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
CHF.10.742
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 17. September 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF.10.74 |
| 10 - 24 | CHF.10.52 |
| 25 - 49 | CHF.10.32 |
| 50 - 99 | CHF.10.10 |
| 100 + | CHF.9.91 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 235-2805
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT2450KEHRC11
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Gehäusegröße | TO-247N | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 450mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 27nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 85W | |
| Durchlassspannung Vf | 4.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Gehäusegröße TO-247N | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 450mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 27nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 85W | ||
Durchlassspannung Vf 4.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET der Serie Rohm SCT ist für Solarwechselrichter, DC/DC-Wandler, Induktionsheizung und Motorantriebe geeignet. Er verfügt über einen niedrigen Betriebswiderstand und eine schnelle Schaltgeschwindigkeit.
Schnelle Rückwärtswiederherstellung
Einfach zu parallel
Einfach anzutreiben
Bleifreie Leitungsbeschichtung
RoHS-konform
Verwandte Links
- ROHM N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 10 A, 3-Pin TO-247N
- ROHM Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 10 A 85 W, 3-Pin TO-247N
- ROHM Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 14 A 108 W, 3-Pin TO-247N
- ROHM Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 22 A 165 W, 3-Pin TO-247N
- ROHM N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 14 A, 3-Pin TO-247N
- ROHM N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 22 A, 3-Pin TO-247N
- ROHM Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 21 A 103 W, 3-Pin TO-247N
- ROHM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 17 A, 7-Pin TO-263