Infineon ISP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 1.29 A 5 W, 3-Pin ISP14EP15LMXTSA1 SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 235-4874
- Herst. Teile-Nr.:
- ISP14EP15LMXTSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 1000 Stück)*
CHF.158.00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 26. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 1000 + | CHF.0.158 | CHF.155.40 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 235-4874
- Herst. Teile-Nr.:
- ISP14EP15LMXTSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.29A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Serie | ISP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.38Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 11.6nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 5W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 1.2 mm | |
| Länge | 6.1mm | |
| Höhe | 5.35mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.29A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Serie ISP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.38Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 11.6nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 5W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 1.2 mm | ||
Länge 6.1mm | ||
Höhe 5.35mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon OptiMOS TM P-Kanal-MOSFETs 150 V im SOT-223-Gehäuse stellen die neue Technologie für Batterie-, Lastschalter- und Verpolungsschutzanwendungen dar. Der Hauptvorteil eines P-Kanal-Geräts ist die Reduzierung der Designkomplexität in Anwendungen mit mittlerer und niedriger Leistungsaufnahme. Seine einfache Schnittstelle zur MCU, das schnelle Schalten sowie die Lawinenbeständigkeit machen ihn für hochwertige anspruchsvolle Anwendungen geeignet. Er ist in Logikpegel mit einem großen RDS(on)-Bereich erhältlich und verbessert den Wirkungsgrad bei niedrigen Lasten aufgrund niedriger Qg. Sie wird in Batterie- und Industrieautomatisierung eingesetzt.
Ideal für hohe und niedrige Schaltfrequenz
Widerstandsfähigkeit gegen Stoßentladungen
SMD-Gehäuse mit Industriestandard-Abmessungen
Robuste, zuverlässige Leistung
Erhöhte Sicherheit der Versorgung
Verwandte Links
- Infineon P-Kanal, SMD MOSFET Transistor 150 V / 1,29 A, 3-Pin SOT-223
- Infineon P-Kanal, SMD MOSFET Transistor 100 V / 1,55 A, 3-Pin SOT-223
- Infineon P-Kanal, SMD MOSFET Transistor 100 V / 3,9 A, 3-Pin SOT-223
- Infineon P-Kanal, SMD MOSFET Transistor 100 V / 990 mA, 3-Pin SOT-223
- Infineon SIPMOS® P-Kanal, SMD MOSFET Transistor 60 V / 1,9 A 1,8 W, 3-Pin SOT-223
- Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 2,6 A 2,8 W, 3-Pin SOT-223
- Infineon SIPMOS® P-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 430 mA 1,8 W, 3-Pin SOT-223
- Infineon SIPMOS® P-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 260 mA 1,8 W, 3-Pin SOT-223