Infineon ISP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / -3.70 A 81 W, 3-Pin SOT-223

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RS Best.-Nr.:
243-9276
Herst. Teile-Nr.:
ISP650P06NMXTSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

-3.70A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

ISP

Gehäusegröße

SOT-223

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

65mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Maximale Betriebstemperatur

+150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

MOSFET der ISP-Serie von Infineon, 60 V maximale Drain-Source-Spannung, 81 W maximale Verlustleistung – ISP650P06NMXTSA1


Dieser MOSFET ist ein P-Kanal-Verbesserungsgerät, das für oberflächenmontierte Leistungsschaltvorgänge in Umgebungen mit anspruchsvollen Temperaturen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten thermischen Bereich und wird in einem kompakten SOT‐223-Gehäuse geliefert, das für Baugruppen geeignet ist, die eine Durchgangsleistung erfordern und gleichzeitig Leiterplattenfläche sparen.

Merkmale und Vorteile:


• 65 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste für eine effiziente Stromübertragung
• Kontinuierlicher Ablassstrom von -3,70 A unterstützt den Betrieb mit konstanter Last
• 80 nC typische Gate-Ladung ermöglicht kontrollierte Schaltdynamik
• Die Nennleistung von 60 V Drain-Source ermöglicht Schaltanwendungen mit höherer Spannung
• 81 W Verlustleistung verwaltet die Wärmeenergie in kompakten Gehäusen

Anwendungsbereich


• Geeignet für Kfz-Steuermodule, die eine hohe Temperaturbeständigkeit erfordern
• Ideal für Stromschienen in der industriellen Steuerungselektronik
• Wird zum Schalten der Last in Batteriemanagementsystemen verwendet
• Kann für umgekehrte Polarität und High-Side-Schaltkreise verwendet werden

Bei welchen Umgebungstemperaturen kann er betrieben werden?


Er funktioniert in einem breiten Bereich von -55 °C bis +150 °C und ermöglicht den Einsatz unter rauen thermischen Bedingungen.

Welches Gehäuse und welche Befestigungsmethode wird verwendet?


Er wird in einem SOT‐223-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage auf Leiterplatten ausgelegt ist.

Welche Gate-Spannungsgrenzwerte müssen beachtet werden?


Die maximale Gate-to-Source-Nennspannung beträgt 20 V und sollte nicht überschritten werden, um Schäden zu vermeiden.

Ist er für Anwendungen in Automobilqualität geeignet?


Er entspricht der AEC-Q101 und unterstützt die Qualifizierung für elektronische Implementierungen im Automobilbereich.

Erfüllt es die Beschränkungen für Umweltschutzstoffe?


Es ist RoHS-konform und erfüllt die Beschränkungen für bestimmte gefährliche Materialien.

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