Infineon ISP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / -3.70 A 81 W, 3-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 243-9276
- Herst. Teile-Nr.:
- ISP650P06NMXTSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Rolle mit 1000 Stück)*
CHF 545.00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 31. August 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | CHF 0.545 | CHF 543.38 |
| 2000 + | CHF 0.515 | CHF 516.11 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 243-9276
- Herst. Teile-Nr.:
- ISP650P06NMXTSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -3.70A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | ISP | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 65mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Maximale Betriebstemperatur | +150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -3.70A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie ISP | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 65mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Maximale Betriebstemperatur +150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
MOSFET der ISP-Serie von Infineon, 60 V maximale Drain-Source-Spannung, 81 W maximale Verlustleistung – ISP650P06NMXTSA1
Dieser MOSFET ist ein P-Kanal-Verbesserungsgerät, das für oberflächenmontierte Leistungsschaltvorgänge in Umgebungen mit anspruchsvollen Temperaturen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten thermischen Bereich und wird in einem kompakten SOT‐223-Gehäuse geliefert, das für Baugruppen geeignet ist, die eine Durchgangsleistung erfordern und gleichzeitig Leiterplattenfläche sparen.
Merkmale und Vorteile:
• 65 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste für eine effiziente Stromübertragung
• Kontinuierlicher Ablassstrom von -3,70 A unterstützt den Betrieb mit konstanter Last
• 80 nC typische Gate-Ladung ermöglicht kontrollierte Schaltdynamik
• Die Nennleistung von 60 V Drain-Source ermöglicht Schaltanwendungen mit höherer Spannung
• 81 W Verlustleistung verwaltet die Wärmeenergie in kompakten Gehäusen
• Kontinuierlicher Ablassstrom von -3,70 A unterstützt den Betrieb mit konstanter Last
• 80 nC typische Gate-Ladung ermöglicht kontrollierte Schaltdynamik
• Die Nennleistung von 60 V Drain-Source ermöglicht Schaltanwendungen mit höherer Spannung
• 81 W Verlustleistung verwaltet die Wärmeenergie in kompakten Gehäusen
Anwendungsbereich
• Geeignet für Kfz-Steuermodule, die eine hohe Temperaturbeständigkeit erfordern
• Ideal für Stromschienen in der industriellen Steuerungselektronik
• Wird zum Schalten der Last in Batteriemanagementsystemen verwendet
• Kann für umgekehrte Polarität und High-Side-Schaltkreise verwendet werden
• Ideal für Stromschienen in der industriellen Steuerungselektronik
• Wird zum Schalten der Last in Batteriemanagementsystemen verwendet
• Kann für umgekehrte Polarität und High-Side-Schaltkreise verwendet werden
Bei welchen Umgebungstemperaturen kann er betrieben werden?
Er funktioniert in einem breiten Bereich von -55 °C bis +150 °C und ermöglicht den Einsatz unter rauen thermischen Bedingungen.
Welches Gehäuse und welche Befestigungsmethode wird verwendet?
Er wird in einem SOT‐223-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage auf Leiterplatten ausgelegt ist.
Welche Gate-Spannungsgrenzwerte müssen beachtet werden?
Die maximale Gate-to-Source-Nennspannung beträgt 20 V und sollte nicht überschritten werden, um Schäden zu vermeiden.
Ist er für Anwendungen in Automobilqualität geeignet?
Er entspricht der AEC-Q101 und unterstützt die Qualifizierung für elektronische Implementierungen im Automobilbereich.
Erfüllt es die Beschränkungen für Umweltschutzstoffe?
Es ist RoHS-konform und erfüllt die Beschränkungen für bestimmte gefährliche Materialien.
Verwandte Links
- Infineon ISP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 3.7 A 81 W, 3-Pin SOT-223
- Infineon ISP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 1.9 A 81 W, 3-Pin SOT-223
- Infineon ISP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 1.7 A 81 W, 3-Pin SOT-223
- Infineon ISP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 2.8 A 81 W, 3-Pin SOT-223
- Infineon ISP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / -2.8 A 81 W, 3-Pin SOT-223
- Infineon BSR Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 3.7 A 81 W, 3-Pin SOT-223
- Infineon ISP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 1.29 A 5 W, 3-Pin SOT-223
- Infineon ISP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 990 mA 4.2 W, 3-Pin SOT-223
