Infineon ISP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 1.9 A 81 W, 3-Pin SOT-223

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RS Best.-Nr.:
243-9272
Herst. Teile-Nr.:
ISP25DP06LMXTSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SOT-223

Serie

ISP

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.7mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der P-Kanal-Kleinsignaltransistor von Infineon hat eine bleifreie Leiterbeschichtung. Der Ableitstrom und die Ableit-Quellenspannung von MOSFETs betragen -1,9 A bzw. -60 V. Er hat einen sehr niedrigen Widerstandswert. Die Betriebstemperatur beträgt -55 °C bis 150 °C.

SMD-Technologie

Logikpegelverfügbarkeit

Einfache Schnittstelle zur Mikrocontroller-Einheit (MCU)

Schnelle Schaltfrequenz-

Avalanche-Härte

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