Infineon ISP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 990 mA 4.2 W, 3-Pin ISP20EP10LMXTSA1 SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 235-4879
- Herst. Teile-Nr.:
- ISP20EP10LMXTSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
CHF.1.47
Vorübergehend ausverkauft
- 960 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | CHF.0.147 | CHF.1.49 |
| 100 - 240 | CHF.0.147 | CHF.1.42 |
| 250 - 490 | CHF.0.137 | CHF.1.36 |
| 500 - 990 | CHF.0.126 | CHF.1.30 |
| 1000 + | CHF.0.126 | CHF.1.21 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 235-4879
- Herst. Teile-Nr.:
- ISP20EP10LMXTSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 990mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Serie | ISP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 3.5nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 4.2W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 7.3mm | |
| Höhe | 6.7mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 1.8 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 990mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Serie ISP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 3.5nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 4.2W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 7.3mm | ||
Höhe 6.7mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 1.8 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon OptiMOS TM P-Kanal-MOSFETs 100 V im SOT-223-Gehäuse stellen die neue Technologie für Batterie-, Lastschalter- und Verpolungsschutzanwendungen dar. Der Hauptvorteil eines P-Kanal-Geräts ist die Reduzierung der Designkomplexität in Anwendungen mit mittlerer und niedriger Leistungsaufnahme. Seine einfache Schnittstelle zur MCU, das schnelle Schalten sowie die Lawinenbeständigkeit machen ihn für hochwertige anspruchsvolle Anwendungen geeignet. Er ist in normaler Ausführung mit einem großen RDS(on)-Bereich erhältlich und verbessert den Wirkungsgrad bei niedrigen Lasten aufgrund niedriger Qg. Sie wird in Batterie- und Industrieautomatisierung eingesetzt.
Ideal für hohe und niedrige Schaltfrequenz
Widerstandsfähigkeit gegen Stoßentladungen
SMD-Gehäuse mit Industriestandard-Abmessungen
Robuste, zuverlässige Leistung
Erhöhte Sicherheit der Versorgung
Verwandte Links
- Infineon P-Kanal, SMD MOSFET Transistor 100 V / 990 mA, 3-Pin SOT-223
- Infineon P-Kanal, SMD MOSFET Transistor 100 V / 1,55 A, 3-Pin SOT-223
- Infineon P-Kanal, SMD MOSFET Transistor 100 V / 3,9 A, 3-Pin SOT-223
- Infineon P-Kanal, SMD MOSFET Transistor 150 V / 1,29 A, 3-Pin SOT-223
- Infineon SIPMOS® P-Kanal, SMD MOSFET Transistor 60 V / 1,9 A 1,8 W, 3-Pin SOT-223
- Infineon SIPMOS® P-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 430 mA 1,8 W, 3-Pin SOT-223
- Infineon SIPMOS® P-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 260 mA 1,8 W, 3-Pin SOT-223
- Infineon SIPMOS® P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 1,9 A 1,8 W, 3-Pin SOT-223