Infineon ISP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 1.9 A 81 W, 3-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 243-9273
- Herst. Teile-Nr.:
- ISP25DP06LMXTSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.0.578 | CHF.2.89 |
| 50 - 120 | CHF.0.483 | CHF.2.42 |
| 125 - 245 | CHF.0.452 | CHF.2.25 |
| 250 - 495 | CHF.0.42 | CHF.2.10 |
| 500 + | CHF.0.389 | CHF.1.96 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 243-9273
- Herst. Teile-Nr.:
- ISP25DP06LMXTSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Serie | ISP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Serie ISP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der P-Kanal-Kleinsignaltransistor von Infineon hat eine bleifreie Leiterbeschichtung. Der Ableitstrom und die Ableit-Quellenspannung von MOSFETs betragen -1,9 A bzw. -60 V. Er hat einen sehr niedrigen Widerstandswert. Die Betriebstemperatur beträgt -55 °C bis 150 °C.
SMD-Technologie
Logikpegelverfügbarkeit
Einfache Schnittstelle zur Mikrocontroller-Einheit (MCU)
Schnelle Schaltfrequenz-
Avalanche-Härte
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