STMicroelectronics Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 100 V / 110 A 250 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 235-5446
- Herst. Teile-Nr.:
- STP150N10F7AG
- Marke:
- STMicroelectronics
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- 235-5446
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- STP150N10F7AG
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 110A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.2mΩ | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 250W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 127nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 110A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.2mΩ | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 250W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 127nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der STMicroelectronics N-Kanal-Leistungs-MOSFET nutzt die STripFET F7-Technologie mit einer verbesserten Trenchgate-Struktur, die einen sehr niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand bewirkt, während gleichzeitig die interne Kapazität und Gate-Ladung für schnelleres und effizienteres Schalten reduziert werden.
175 °C Sperrschichttemperatur
Standardstufe VGS(TH)
Entwickelt für den Einsatz in der Automobilindustrie
100 % lawinengeprüft
Anwendungen
Schaltanwendungen
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