Infineon IPT N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 454 A 278 W, 8-Pin HSOF-8
- RS Best.-Nr.:
- 236-1585
- Herst. Teile-Nr.:
- IPT008N06NM5LFATMA1
- Marke:
- Infineon
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- Herst. Teile-Nr.:
- IPT008N06NM5LFATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 454A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | HSOF-8 | |
| Serie | IPT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.8mΩ | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 185nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 278W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 10.58mm | |
| Länge | 10.1mm | |
| Höhe | 2.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 454A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße HSOF-8 | ||
Serie IPT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.8mΩ | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 185nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 278W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 10.58mm | ||
Länge 10.1mm | ||
Höhe 2.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der IPT-Serie von Infineon, 60 V maximale Drain-Source-Spannung, 454 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IPT008N06NM5LFATMA1
Dieser MOSFET ist ein Hochstrom-Schalttransistor, der für oberflächenmontierte Leistungsanwendungen entwickelt wurde und eine robuste thermische Toleranz und eine hohe Strombelastbarkeit für anspruchsvolle Schaltkreise bietet. Er arbeitet in einem breiten Umgebungsbereich und eignet sich für Systeme, die einen geringen Leitungsverlust und eine hohe Leistungsaufnahme in einem kompakten Gehäuse erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• Maximale Ablassspannung von 60 V sorgt für Hochspannungsschaltfähigkeit
• 454 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt hohe Stromlasten
• 0,8 mΩ maximaler RDS(on) reduziert Leitungsverluste in Leistungspfaden
• Maximale Verlustleistung von 278 W ermöglicht einen dauerhaften Betrieb mit hoher Leistung
• Die typische Gate-Ladung von 185 nC ermöglicht eine vorhersehbare Schaltsteuerung
• Die Gate-Source-Nennleistung von ±20 V ermöglicht breite Gate-Antriebsmargen
• 454 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt hohe Stromlasten
• 0,8 mΩ maximaler RDS(on) reduziert Leitungsverluste in Leistungspfaden
• Maximale Verlustleistung von 278 W ermöglicht einen dauerhaften Betrieb mit hoher Leistung
• Die typische Gate-Ladung von 185 nC ermöglicht eine vorhersehbare Schaltsteuerung
• Die Gate-Source-Nennleistung von ±20 V ermöglicht breite Gate-Antriebsmargen
Anwendungsbereich
• Geeignet für Hochstrom-Motorantriebsstufen
• Kann für DC/DC-Wandler-Ausgangsschalter verwendet werden
• Ideal für die Stromverteilung in Server-Stromversorgungen
• Wird mit Batteriemanagementmodulen verwendet, die große Ströme verarbeiten
• Geeignet für industrielle Wechselrichter-Schaltstufen
• Kann für DC/DC-Wandler-Ausgangsschalter verwendet werden
• Ideal für die Stromverteilung in Server-Stromversorgungen
• Wird mit Batteriemanagementmodulen verwendet, die große Ströme verarbeiten
• Geeignet für industrielle Wechselrichter-Schaltstufen
Welche thermische Belastbarkeit kann in rauen Umgebungen erwartet werden?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht so den Einsatz unter weiten Temperaturbedingungen.
Wie wirkt sich das Gehäuse auf die Montage und das Layout aus?
Das oberflächenmontierbare HSOF-8-Gehäuse erleichtert die kompakte Platzierung von Leiterplatten und Verbindungen mit niedriger Induktivität für Leistungsstrecken.
Welche Gate-Drive-Bedenken sind für das Schalten erforderlich?
Gate-Treiber so ausgelegt, dass sie genügend Ladung für das 185-nC-Gate liefern, um die erforderlichen Schaltgeschwindigkeiten zu erreichen und gleichzeitig die Gate-Source-Grenze von ±20 V einzuhalten.
Wie sollten Entwickler die Verlustleistung in Hochlastszenarien bewältigen?
Stellen Sie sicher, dass die Leiterplatten-Kupferfläche und die Wärmeleitpasten so dimensioniert sind, dass sie der Verlustleistung von 278 W standhalten und die Sperrschichttemperaturen innerhalb der Grenzen halten.
Welche Leitungsleistung kann bei Dauerbetrieb erwartet werden?
Erwarten Sie einen geringen Spannungsabfall im eingeschalteten Zustand aufgrund des maximalen Drain-Source-Widerstands von 0,8 mΩ, was der Effizienz unter kontinuierlichen Hochstrombedingungen zugutekommt.
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