Toshiba T2N7002AK Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 200 mA 1 W, 3-Pin T2N7002AK,LM(T SOT-23

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236-3585
Herst. Teile-Nr.:
T2N7002AK,LM(T
Marke:
Toshiba
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Marke

Toshiba

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

200mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SOT-23

Serie

T2N7002AK

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.2mΩ

Maximale Verlustleistung Pd

1W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

-0.87V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

0.27nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

0.8mm

Länge

2.4mm

Breite

2.9 mm

Automobilstandard

Nein

Der Toshiba Feldeffekttransistor besteht aus Siliziummaterial und hat einen N-Kanal-MOS-Typ. Er wird hauptsächlich in Hochgeschwindigkeits-Schaltanwendungen eingesetzt.

Lagertemperaturbereich: -55 bis 150 °C.

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