Toshiba Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 75 V / 168 A 2.5 W, 8-Pin TPH2R608NH,L1Q(M SOP

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Herst. Teile-Nr.:
TPH2R608NH,L1Q(M
Marke:
Toshiba
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Marke

Toshiba

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

168A

Drain-Source-Spannung Vds max.

75V

Gehäusegröße

SOP

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.6mΩ

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

72nC

Maximale Verlustleistung Pd

2.5W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6mm

Höhe

0.95mm

Breite

5 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Toshiba MOSFET besteht aus Siliziummaterial und hat einen N-Kanal-MOS-Typ. Er wird hauptsächlich in hocheffizienten DC/DC-Wandlern und Schaltspannungsregleranwendungen eingesetzt.

Hochgeschwindigkeitsschalten

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