Infineon CoolMOS N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 700 V / 19 A 98 W, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:
236-3675
Herst. Teile-Nr.:
IPW65R125CFD7XKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

19A

Drain-Source-Spannung Vds max.

700V

Serie

CoolMOS

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

125mΩ

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Durchlassspannung Vf

1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

98W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

36nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

21.5mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

16.3mm

Breite

5.3mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon CoolMOS Super Junction MOSFET mit integrierter, schneller Gehäusediode ist die perfekte Wahl für resonante Hochleistungs-Topologien. Er ist ideal für industrielle Anwendungen wie Server-, Telekommunikations-, Solar- und EV-Ladestationen, Dies ermöglicht erhebliche Effizienzverbesserungen im Vergleich zur Konkurrenz. Er hat einen Abflussstrom von 15 A.

Ausgezeichnete Robustheit bei harter Kommutierung

Zusätzliche Sicherheitsmarge für Designs mit erhöhter Busspannung

Ermöglicht eine erhöhte Leistungsdichte

Hervorragende Lichtlasteffizienz in industriellen SMPS-Anwendungen

Verbesserte Volllast-Effizienz in industriellen SMPS-Anwendungen

Preiswettbewerbsfähigkeit im Vergleich zu alternativen Angeboten auf dem Markt

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