Infineon CoolMOS CFD N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 8,7 A 83,3 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 857-7148
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW65R420CFDFKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 240 Stück)*
CHF.390.72
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 240 - 240 | CHF.1.628 | CHF.390.60 |
| 480 - 960 | CHF.1.544 | CHF.370.94 |
| 1200 + | CHF.1.47 | CHF.352.80 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 857-7148
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW65R420CFDFKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 8,7 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 700 V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | CoolMOS CFD | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 420 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4.5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3.5V | |
| Verlustleistung max. | 83,3 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 16.13mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 31,5 nC @ 10 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Breite | 5.21mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Höhe | 21.1mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 8,7 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 700 V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie CoolMOS CFD | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 420 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4.5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 3.5V | ||
Verlustleistung max. 83,3 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 16.13mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 31,5 nC @ 10 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Breite 5.21mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Höhe 21.1mm | ||
Leistungs-MOSFET CoolMOS™CE/CFD von Infineon
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
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