Infineon CoolMOS CFD Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 700 V / 43 A 391 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 898-6927
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW65R080CFDAFKSA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 898-6927
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW65R080CFDAFKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 43A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 700V | |
| Serie | CoolMOS CFD | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 80mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 391W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 167nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 21.1mm | |
| Breite | 5.21 mm | |
| Länge | 16.13mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 43A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 700V | ||
Serie CoolMOS CFD | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 80mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 391W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 167nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 21.1mm | ||
Breite 5.21 mm | ||
Länge 16.13mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Leistungs-MOSFET CoolMOS™CE/CFD von Infineon
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
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