Infineon CoolMOS CFD Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 700 V / 43 A 391 W, 3-Pin IPW65R080CFDAFKSA1

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Herst. Teile-Nr.:
IPW65R080CFDAFKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

43A

Drain-Source-Spannung Vds max.

700V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

CoolMOS CFD

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

80mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

0.9V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

167nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

391W

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

21.1mm

Länge

16.13mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

5.21 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Leistungs-MOSFET CoolMOS™CE/CFD von Infineon


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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