Infineon CoolMOS P6 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 53.5 A 391 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 214-9121
- Herst. Teile-Nr.:
- IPZ60R070P6FKSA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | CHF.8.957 | CHF.17.91 |
| 10 - 18 | CHF.8.064 | CHF.16.13 |
| 20 - 48 | CHF.7.613 | CHF.15.23 |
| 50 - 98 | CHF.7.077 | CHF.14.14 |
| 100 + | CHF.6.531 | CHF.13.07 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-9121
- Herst. Teile-Nr.:
- IPZ60R070P6FKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 53.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | CoolMOS P6 | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 70mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 391W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 100nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 16.13mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 21.1mm | |
| Breite | 5.21 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 53.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie CoolMOS P6 | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 70mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 391W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 100nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 16.13mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 21.1mm | ||
Breite 5.21 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon CoolMOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die CoolMOS P6-Serie kombiniert die Erfahrung des führenden SJ-MOSFET-Lieferanten mit erstklassiger Innovation. Die angebotenen Geräte bieten alle Vorteile eines schnellen SJ-MOSFET ohne Einbußen bei der Benutzerfreundlichkeit. Extrem niedrige Schalt- und Leitungsverluste machen Schaltanwendungen noch effizienter, kompakter, leichter und kühler.
Einfach zu verwenden/zu treiben durch Treiberquellen-Pin für bessere Leistung Steuerung des Tores
Zugelassen für industrielle Anwendungen gemäß JEDEC
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