Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 63.3 A 500 W, 3-Pin TO-247

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*

CHF.236.88

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 90 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
30 - 30CHF.7.896CHF.236.79
60 - 60CHF.7.497CHF.224.94
90 +CHF.7.025CHF.210.74

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
222-4724
Herst. Teile-Nr.:
IPW65R048CFDAFKSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

63.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

700V

Serie

CoolMOS

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

48mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-40°C

Durchlassspannung Vf

0.9V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

270nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

500W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

16.13mm

Breite

5.21 mm

Höhe

21.1mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Das Infineon Design von Cool MOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die Serie 600 V Cool MOS TM C7 kombiniert die Erfahrung des führenden SJ MOSFET-Lieferanten mit erstklassiger Innovation. Der 600 V C7 ist die erste Technologie, die jemals mit RDS(on) * A unter 1 Ohm * mmmmmmmmmmmmmm² verwendet wurde.

Bleifreie Leitungsbeschichtung; RoHS-konform

Überlegene Wärmebeständigkeit, 100 % auf Lawinengefahr geprüft

Halogenfrei gemäß IEC61249-2-23

Verwandte Links