Infineon CoolMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 63.3 A 500 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 222-4725
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW65R048CFDAFKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt sichern
5 weitere Einheiten hinzufügen, um 2% zu sparen
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stück)*
CHF 10.26
Auf Lager
- Zusätzlich 68 Einheit(en) mit Versand ab 16. November 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Ihre Ersparnis |
|---|---|---|
| 1 - 4 | CHF 10.26 | - |
| 5 - 9 | CHF 9.99 | 2% |
| 10 - 24 | CHF 9.72 | 5% |
| 25 - 49 | CHF 9.46 | 7% |
| 50 + | CHF 9.22 | 10% |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 222-4725
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW65R048CFDAFKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 63.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 700V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 48mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 270nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 500W | |
| Durchlassspannung Vf | 900mV | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 5.21mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 21.1mm | |
| Länge | 16.13mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 63.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 700V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie CoolMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 48mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 270nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 500W | ||
Durchlassspannung Vf 900mV | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 5.21mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 21.1mm | ||
Länge 16.13mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das Infineon Design von Cool MOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die Serie 600 V Cool MOS TM C7 kombiniert die Erfahrung des führenden SJ MOSFET-Lieferanten mit erstklassiger Innovation. Der 600 V C7 ist die erste Technologie, die jemals mit RDS(on) * A unter 1 Ohm * mmmmmmmmmmmmmm² verwendet wurde.
Bleifreie Leitungsbeschichtung; RoHS-konform
Überlegene Wärmebeständigkeit, 100 % auf Lawinengefahr geprüft
Halogenfrei gemäß IEC61249-2-23
Verwandte Links
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 63.3 A 500 W, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS C6 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 700 V / 83 A 500 W, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 33 A 171 W, 4-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS C7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 700 V / 13 A 72 W, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS C7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 700 V / 46 A 227 W, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS C7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 700 V / 75 A 446 W, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS C7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 700 V / 46 A 227 W, 4-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS CFD Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 700 V / 43 A 391 W, 3-Pin TO-247