Microchip VP0109 Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 30 V / 140 A 1.6 W, 3-Pin TO-92
- RS Best.-Nr.:
- 236-8964
- Herst. Teile-Nr.:
- VP0109N3-G
- Marke:
- Microchip
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
- RS Best.-Nr.:
- 236-8964
- Herst. Teile-Nr.:
- VP0109N3-G
- Marke:
- Microchip
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 140A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | TO-92 | |
| Serie | VP0109 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 8mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.8V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.6W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 140A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße TO-92 | ||
Serie VP0109 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 8mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.8V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.6W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Microchip Enhancement Mode (normalerweise aus)-Transistor nutzt eine vertikale DMOS-Struktur und den bewährten Silizium-Gate-Fertigungsprozess von Supertex. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen ist. Die vertikalen DMOS FETs sind ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkeranwendungen geeignet, bei denen sehr niedrige Schwellenspannung, hohe Durchschlagsspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erwünscht sind.
Frei von sekundärer Durchschlagsspannung
Niedrige Anforderung an die Stromversorgung
Einfacher Parallelbetrieb
Niedrige CISS und schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Ausgezeichnete Temperaturstabilität
Integrierte Source-Drain-Diode
Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung
Verwandte Links
- Microchip VP0106 Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 30 V / 140 A 1.6 W, 3-Pin VP0106N3-G TO-92
- Microchip VP0106 Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 30 V / 140 A 1.6 W, 3-Pin TO-92
- Microchip VP2206 Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 10.3 A 140 W, 3-Pin VP2206N3-G TO-92
- Microchip VP2206 Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 10.3 A 140 W, 3-Pin TO-92
- DiodesZetex Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 140 mA 625 mW, 3-Pin TO-92
- DiodesZetex Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 140 mA 625 mW, 3-Pin ZVP3310A TO-92
- Microchip LP0701 Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 16.5 V, 3-Pin LP0701N3-G TO-92
- Microchip VP3203 Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 30 V, 3-Pin VP3203N3-G TO-92