Vishay SiR Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 100 A 83.3 W, 8-Pin PowerPAK SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 239-5390
- Herst. Teile-Nr.:
- SiR584DP-T1-RE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.6.405
Auf Lager
- 5’870 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.1.281 | CHF.6.41 |
| 50 - 245 | CHF.1.208 | CHF.6.02 |
| 250 - 495 | CHF.1.092 | CHF.5.45 |
| 500 - 1245 | CHF.1.029 | CHF.5.14 |
| 1250 + | CHF.0.956 | CHF.4.80 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 239-5390
- Herst. Teile-Nr.:
- SiR584DP-T1-RE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK SO-8 | |
| Serie | SiR | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0039Ω | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 83.3W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 56nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 6.15mm | |
| Breite | 5.15 mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße PowerPAK SO-8 | ||
Serie SiR | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0039Ω | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 83.3W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 56nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 6.15mm | ||
Breite 5.15 mm | ||
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET TrenchFET von Vishay hat einen Ablassstrom von 100 A. Er wird in synchrone Gleichrichtung, Primärseitigen Schaltern, DC/DC-Wandlern und Motorantriebsschaltern eingesetzt.
Sehr niedriger RDS x Qg-Fat-of-Merit (FOM)
Abgestimmt auf den niedrigsten RDS x Qoss FOM
100 % Rg und UIS-geprüft
Verwandte Links
- Vishay SiR Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 100 A 83.3 W, 8-Pin SiR584DP-T1-RE3 PowerPAK SO-8
- Vishay SiR Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 116 A 92.5 W, 8-Pin SiR582DP-T1-RE3 PowerPAK SO-8
- Vishay SiR Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 78.4 A 71.4 W, 8-Pin SiR586DP-T1-RE3 PowerPAK SO-8
- Vishay SiR Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 59.5 A 59.5 W, 8-Pin SiR588DP-T1-RE3 PowerPAK SO-8
- Vishay SiR Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 52.1 A 43 W, 8-Pin SiR4602LDP-T1-RE3 PowerPAK SO-8
- Vishay SiR Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 26.8 A 56.8 W, 8-Pin SIR5710DP-T1-RE3 PowerPAK SO-8
- Vishay SiR Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 73 A 62.5 W, 8-Pin SIR184LDP-T1-RE3 PowerPAK SO-8
- Vishay SiR Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 33.8 A 65.7 W, 8-Pin SIR5708DP-T1-RE3 PowerPAK SO-8