Vishay SIS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 104 A 63 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8PT
- RS Best.-Nr.:
- 239-5398P
- Herst. Teile-Nr.:
- SISA10BDN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 104A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 1212-8PT | |
| Serie | SIS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0036Ω | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 11.7nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 63W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 3.3 mm | |
| Höhe | 0.75mm | |
| Länge | 3.3mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 104A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße PowerPAK 1212-8PT | ||
Serie SIS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0036Ω | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 11.7nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 63W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 3.3 mm | ||
Höhe 0.75mm | ||
Länge 3.3mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay hat einen Ablassstrom von 104 A. Er wird für DC/DC mit hoher Leistungsdichte, synchrone Gleichrichtung, VRMs und eingebettete DC/DC, Batterieschutz verwendet.
100 % Rg- und UIS-geprüft