STMicroelectronics STP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 55 A 140 W, 3-Pin STP80N240K6 TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 239-5544
- Herst. Teile-Nr.:
- STP80N240K6
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | CHF.5.597 | CHF.27.97 |
| 10 - 20 | CHF.5.313 | CHF.26.58 |
| 25 - 45 | CHF.4.788 | CHF.23.92 |
| 50 + | CHF.4.757 | CHF.23.77 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 239-5544
- Herst. Teile-Nr.:
- STP80N240K6
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 55A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | STP | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 45mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 140W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | UL | |
| Höhe | 4.6mm | |
| Länge | 28.9mm | |
| Breite | 10.4 mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 55A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie STP | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 45mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 140W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen UL | ||
Höhe 4.6mm | ||
Länge 28.9mm | ||
Breite 10.4 mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der STMicroelectronics-N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit sehr hoher Spannung wurde mit der ultimativen Mdmesh-K6-Technologie entwickelt, die auf 20 Jahren STMicroelectronics Erfahrung in der Super Junction Technology basiert. Das Ergebnis ist der klassenbeste Betriebswiderstand pro Fläche und Gate-Ladung für Anwendungen, die eine überlegene Leistungsdichte und einen hohen Wirkungsgrad erfordern. Dieser MOSFET wird für Flyback-Topologie, basierte Anwendungen wie LED-Beleuchtung, Ladegeräte und Adapter empfohlen. Bietet eine höhere Leistungsdichte, wodurch sowohl die BOM-Kosten als auch die Größe der Platine reduziert werden.
Weltweit beste RDS(on) x-Fläche
Weltweit beste FOM (Leistungszahl)
Extrem niedrige Gate-Ladung
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Zenerdioden-geschützt