STMicroelectronics STP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 12 A 115 W, 3-Pin TO-220

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Herst. Teile-Nr.:
STP80N340K6
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

12A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Serie

STP

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

340mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.5V

Maximale Verlustleistung Pd

115W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

17.8nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

28.9mm

Höhe

4.6mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics ist ein sehr hoher Spannungs-MOSFET, der mit der ultimativen MDmesh K6-Technologie entwickelt wurde und für Anwendungen mit überragender Leistungsdichte und hohem Wirkungsgrad die beste Widerstandsklasse pro Bereich und Gate-Ladung bietet.

Extrem niedrige Gate-Ladung

100 Prozent Lawinengeprüft

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