STMicroelectronics STP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 7 A 86 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 275-1356
- Herst. Teile-Nr.:
- STP80N600K6
- Marke:
- STMicroelectronics
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|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF 3.07 | CHF 6.13 |
| 20 - 98 | CHF 1.909 | CHF 3.82 |
| 100 - 198 | CHF 1.454 | CHF 2.91 |
| 200 + | CHF 1.303 | CHF 2.61 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 275-1356
- Herst. Teile-Nr.:
- STP80N600K6
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Serie | STP | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 600mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 86W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 10.7nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 10.4mm | |
| Länge | 28.9mm | |
| Höhe | 4.6mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Serie STP | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 600mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 86W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 10.7nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 10.4mm | ||
Länge 28.9mm | ||
Höhe 4.6mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Hochspannungs-N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der ultimativen MDmesh K6-Technologie entwickelt, die auf der Super-Junction-Technologie basiert. Das Ergebnis ist das beste in der Klasse hinsichtlich des Widerstands pro Fläche und der Gate-Ladung für Anwendungen, die eine überlegene Leistungsdichte und einen hohen Wirkungsgrad erfordern.
Extrem niedrige Gate-Ladung
100 % Lawinengeprüft
Zenergeschützt
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