Microchip TN5325 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 10.3 A 140 W, 3-Pin TN5325K1-G TO-92
- RS Best.-Nr.:
- 239-5618
- Herst. Teile-Nr.:
- TN5325K1-G
- Marke:
- Microchip
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*
CHF.12.875
Vorübergehend ausverkauft
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | CHF.0.515 | CHF.12.92 |
| 50 - 75 | CHF.0.504 | CHF.12.65 |
| 100 - 225 | CHF.0.473 | CHF.11.87 |
| 250 - 975 | CHF.0.462 | CHF.11.63 |
| 1000 + | CHF.0.452 | CHF.11.39 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 239-5618
- Herst. Teile-Nr.:
- TN5325K1-G
- Marke:
- Microchip
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-92 | |
| Serie | TN5325 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 8Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.8V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 140W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-92 | ||
Serie TN5325 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 8Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.8V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 140W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Transistor der Microchip TN5325-Serie mit niedrigem Schwellenwert, Anreicherungstyp (normalerweise aus) nutzt eine vertikale DMOS-Struktur und einen bewährten Silizium-Gate-Fertigungsprozess. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen ist.
Niedriger Schwellenwert von max. 2 V
Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung
Anstiegszeit von 15 ns
Ausschaltverzögerung von 25 ns
Abfallzeit von 25 ns