Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 100 V / 415 A 120 W, 8-Pin PowerPAK SO-8DC
- RS Best.-Nr.:
- 239-8615
- Herst. Teile-Nr.:
- SiDR220EP-T1-RE3
- Marke:
- Vishay
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| 2 - 18 | CHF.1.701 | CHF.3.41 |
| 20 - 98 | CHF.1.659 | CHF.3.33 |
| 100 - 198 | CHF.1.617 | CHF.3.23 |
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- RS Best.-Nr.:
- 239-8615
- Herst. Teile-Nr.:
- SiDR220EP-T1-RE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 415A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK SO-8DC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.00082Ω | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 46.1nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 120W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Breite | 5.15 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.15mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 415A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße PowerPAK SO-8DC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.00082Ω | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 46.1nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 120W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Breite 5.15 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.15mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Vishay TrenchFET® ist ein N-Kanal-MOSFET der Gen IV-Leistung, der bei Temperaturen von 25 V und 175 °C arbeitet. Dieser MOSFET wird für hohe Leistungsdichte, synchrone Abwärtswandler und Lastschaltung verwendet.
Die obere Kühlfunktion bietet zusätzlichen Platz für thermische Übertragung
Geringer Leistungsverlust
UIS-geprüft
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