Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 30 V / 153 A 150 W, 8-Pin SIDR5802EP-T1-RE3 PowerPAK SO-8DC

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Herst. Teile-Nr.:
SIDR5802EP-T1-RE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

153A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

PowerPAK SO-8DC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0042mΩ

Channel-Modus

Entleerung

Durchlassspannung Vf

1.1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

46.1nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

150W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.15mm

Breite

5.15 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Die MOSFET-Produktlinie von Vishay Siliconix umfasst ein breites Spektrum an fortschrittlichen Technologien. MOSFETs sind Transistorbauelemente, die von einem Kondensator gesteuert werden. Der Feldeffekt bedeutet, dass sie durch Spannung gesteuert werden. N-Kanal-MOSFETs enthalten zusätzliche Elektronen, die sich frei bewegen können. Die Produkte sind ein beliebter Kanaltyp. N-Kanal-MOSFETs werden aktiv, wenn eine positive Ladung an den Gate-Anschluss angelegt wird.

TrenchFET Gen V Leistungs-MOSFET

Sehr niedrige RDS-Qg-Leistungszahl (FOM)

Abgestimmt auf den niedrigsten RDS - Qoss FOM

100 % Rg und UIS getestet

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