Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 30 V / 90.9 A 150 W, 8-Pin SIDR570EP-T1-RE3 PowerPAK SO-8DC

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

CHF.7.812

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 6’000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 18CHF.3.906CHF.7.82
20 - 98CHF.3.675CHF.7.36
100 - 198CHF.3.318CHF.6.64
200 - 498CHF.3.14CHF.6.28
500 +CHF.2.94CHF.5.87

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
252-0256
Herst. Teile-Nr.:
SIDR570EP-T1-RE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

90.9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

PowerPAK SO-8DC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0042mΩ

Channel-Modus

Entleerung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

46.1nC

Durchlassspannung Vf

1.1V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

150W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.15mm

Breite

5.15 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Die MOSFET-Produktlinie von Vishay Siliconix umfasst ein breites Spektrum an fortschrittlichen Technologien. MOSFETs sind Transistorbauelemente, die von einem Kondensator gesteuert werden. Der Feldeffekt bedeutet, dass sie durch Spannung gesteuert werden. N-Kanal-MOSFETs enthalten zusätzliche Elektronen, die sich frei bewegen können. Die Produkte sind ein beliebter Kanaltyp. N-Kanal-MOSFETs werden aktiv, wenn eine positive Ladung an den Gate-Anschluss angelegt wird.

TrenchFET Gen V Leistungs-MOSFET

Sehr niedrige RDS-Qg-Leistungszahl (FOM)

Abgestimmt auf den niedrigsten RDS - Qoss FOM

100 % Rg und UIS getestet

Verwandte Links