Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 20 V / -3.73 A 13.6 W, 7-Pin PowerPAK SC-70W-6L
- RS Best.-Nr.:
- 239-8662
- Herst. Teile-Nr.:
- SQA446CEJW-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 225 | CHF.0.525 | CHF.13.01 |
| 250 - 600 | CHF.0.485 | CHF.12.22 |
| 625 - 1225 | CHF.0.444 | CHF.11.06 |
| 1250 - 2475 | CHF.0.414 | CHF.10.40 |
| 2500 + | CHF.0.394 | CHF.9.75 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 239-8662
- Herst. Teile-Nr.:
- SQA446CEJW-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -3.73A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK SC-70W-6L | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.02Ω | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 13.6W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 5.1nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 2.05mm | |
| Breite | 2.05 mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -3.73A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße PowerPAK SC-70W-6L | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.02Ω | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 13.6W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 5.1nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 2.05mm | ||
Breite 2.05 mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Vishay SQA ist ein Kfz-N-Kanal-MOSFET, der bei 20 V und 175 °C arbeitet. Dieser MOSFET wird für hohe Leistungsdichte verwendet.
AEC-Q101-qualifiziert
UIS-geprüft
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