Vishay Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 6.46 A 13.6 W, 7-Pin PowerPAK SC-70W-6L
- RS Best.-Nr.:
- 252-0299
- Herst. Teile-Nr.:
- SQA411CEJW-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- 252-0299
- Herst. Teile-Nr.:
- SQA411CEJW-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6.46A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK SC-70W-6L | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.21mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 13.6W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 5.1nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 2.05 mm | |
| Länge | 2.05mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6.46A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße PowerPAK SC-70W-6L | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.21mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 13.6W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 5.1nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 2.05 mm | ||
Länge 2.05mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Die MOSFETs von Vishay für den Automobilbereich werden in einem speziellen Prozessablauf hergestellt, um eine hohe Robustheit zu gewährleisten. Die nach AEC-Q101 qualifizierte SQ-Serie von Vishay Siliconix ist für eine maximale Sperrschichttemperatur von 175 °C ausgelegt und verfügt über n- und p-Kanal-Trench-FET-Technologien mit niedrigem Durchlasswiderstand in blei- und halogenfreien SO-Gehäusen.
TrenchFET Leistungs-MOSFET
AEC-Q101 qualifiziert
Benetzbare Flankenanschlüsse
100 % Rg und UIS getestet
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