Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 30 V / 410 A 255 W, 4-Pin PowerPAK SO-8L
- RS Best.-Nr.:
- 239-8666
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJ160EP-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.2.52 | CHF.12.59 |
| 50 - 120 | CHF.2.363 | CHF.11.83 |
| 125 - 245 | CHF.2.142 | CHF.10.70 |
| 250 - 495 | CHF.2.016 | CHF.10.07 |
| 500 + | CHF.1.89 | CHF.9.44 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 239-8666
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJ160EP-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 410A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK SO-8L | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.002Ω | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 255W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 43nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Breite | 4.9 mm | |
| Länge | 6.15mm | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 410A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße PowerPAK SO-8L | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.002Ω | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 255W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 43nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Breite 4.9 mm | ||
Länge 6.15mm | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Vishay SQJ ist ein Kfz-N-Kanal-MOSFET, der bei 60 V und 175 °C arbeitet. Dieser MOSFET wird für hohe Leistungsdichte verwendet.
AEC-Q101-qualifiziert
UIS-geprüft
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