Nexperia Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V / 98 A 85 W, 8-Pin LFPAK56D

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Herst. Teile-Nr.:
BUK7V4R2-40HX
Marke:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

98A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

LFPAK56D

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.2mΩ

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

85W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Der Nexperia-Zweifach-N-Kanal-MOSFET mit Standardpegel in einem LFPAK56D-Gehäuse (Halbbrückenkonfiguration) mit Trench 9 Trench-MOS-Technologie. Dieses Produkt wurde gemäß AEC-Q101 entwickelt und zugelassen.

LFPAK56D-Gehäuse mit Halbbrücken-Konfiguration ermöglicht

Geringere Komplexität des Leiterplattenlayouts

Leiterplattenschrumpfung durch reduzierte Bauteilabmessung für 3-phasigen Motorantrieb

Verbesserte Systemebene RTH(j-amb) durch optimiertes Gehäusedesign

Geringere parasitäre Induktivität zur Unterstützung eines höheren Wirkungsgrads

Abmessung kompatibel mit LFPAK56D Dual-Gehäuse

Advanced AEC-Q101-Güte Trench 9 Siliziumtechnologie

Geringe Leistungsverluste, hohe Leistungsdichte

Überlegene Lawinenleistung

Für sich wiederholende Stoßentladung ausgelegt

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