Nexperia Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V / 42 A 46 W, 8-Pin LFPAK56D
- RS Best.-Nr.:
- 240-1822
- Herst. Teile-Nr.:
- BUK9V13-40HX
- Marke:
- Nexperia
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| 5 - 45 | CHF.1.271 | CHF.6.37 |
| 50 - 95 | CHF.1.155 | CHF.5.75 |
| 100 - 245 | CHF.0.893 | CHF.4.47 |
| 250 - 495 | CHF.0.882 | CHF.4.40 |
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- RS Best.-Nr.:
- 240-1822
- Herst. Teile-Nr.:
- BUK9V13-40HX
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 42A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | LFPAK56D | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 13.6mΩ | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 46W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 13.9nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 42A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße LFPAK56D | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 13.6mΩ | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 46W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 13.9nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Nexperia-N-Kanal-MOSFET mit zwei Logikpegel-Kanälen in einem LFPAK56D-Gehäuse (Halbbrückenkonfiguration) mit Trench 9 Trench-MOS-Technologie. Dieses Produkt wurde gemäß AEC-Q101 entwickelt und zugelassen.
LFPAK56D-Gehäuse mit Halbbrücken-Konfiguration ermöglicht
Geringere Komplexität des Leiterplattenlayouts
Leiterplattenschrumpfung durch reduzierte Bauteilabmessung für 3-phasigen Motorantrieb
Verbesserte Systemebene RTH(j-amb) durch optimiertes Gehäusedesign
Geringere parasitäre Induktivität zur Unterstützung eines höheren Wirkungsgrads
Abmessung kompatibel mit LFPAK56D Dual-Gehäuse
Advanced AEC-Q101-Güte Trench 9 Siliziumtechnologie
Geringe Leistungsverluste, hohe Leistungsdichte
Überlegene Lawinenleistung
Für sich wiederholende Stoßentladung ausgelegt
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