Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 10.3 A 12.5 W, 4-Pin LFPAK56E

RS Best.-Nr.:: 240-1973
Herst. Teile-Nr.:: PSMN1R5-50YLHX
Marke:: Nexperia

Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 10.3 A 12.5 W, 4-Pin LFPAK56E

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

CHF.8.274

Auf Lager

1’480 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
2 - 48	CHF.4.137	CHF.8.26
50 - 98	CHF.3.717	CHF.7.43
100 - 248	CHF.3.045	CHF.6.09
250 - 498	CHF.2.982	CHF.5.98
500 +	CHF.2.594	CHF.5.19

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 240-1973
Herst. Teile-Nr.:: PSMN1R5-50YLHX
Marke:: Nexperia

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Nexperia
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	10.3A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	30V
	Gehäusegröße	LFPAK56E
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	4
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	13.6mΩ
	Maximale Verlustleistung Pd	12.5W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Nexperia
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10.3A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 30V
	Gehäusegröße LFPAK56E
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 4
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 13.6mΩ
	Maximale Verlustleistung Pd 12.5W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Datasheet - PSMN1R5-50YLHX

Der Nexperia MOSFET befindet sich im LFPAK56E-Gehäuse mit 200 A Dauerstrom, Logikebenensteuerung und N-Kanal-Anreichermodus. Der ASFET ist besonders geeignet für 36-V-Batterie-betriebene Anwendungen, die eine hohe Lawinenfähigkeit erfordern, Linearmodus pro

LFPAK56E spannungsarmes freiliegendes Kabelgestell für höchste Zuverlässigkeit, optimales Löten und einfache Lötverbindungsinspektion

Kupferklemme und Löteinsatz für niedrige Gehäuseinduktivität und Widerstand und hohe ID (max.)-Nennwerte

Zugelassen bis 175 °C

Für Lawinen ausgelegt, 100 % geprüft

Niedrige QG, QGD und QOSS für hohen Wirkungsgrad, besonders bei höheren Schaltfrequenzen

Superschnelles Schalten mit weicher Gehäuse-Dioden-Wiederherstellung für geringes Spiking und Klingeln, empfohlen für Designs mit niedriger EMI

Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 10.3 A 12.5 W, 4-Pin LFPAK56E

Verwandte Links