Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 100 A 179 W, 4-Pin LFPAK
- RS Best.-Nr.:
- 816-6969
- Herst. Teile-Nr.:
- PSMN1R5-30YLC,115
- Marke:
- Nexperia
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.8.785
Auf Lager
- 10 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
- Zusätzlich 945 Einheit(en) mit Versand ab 02. September 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | CHF 1.757 | CHF 8.80 |
| 10 - 20 | CHF 1.687 | CHF 8.42 |
| 25 - 45 | CHF 1.626 | CHF 8.13 |
| 50 - 95 | CHF 1.576 | CHF 7.88 |
| 100 + | CHF 1.535 | CHF 7.69 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 816-6969
- Herst. Teile-Nr.:
- PSMN1R5-30YLC,115
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | LFPAK | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 179W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 65nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 1.05mm | |
| Länge | 5mm | |
| Breite | 4.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße LFPAK | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 179W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 65nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 1.05mm | ||
Länge 5mm | ||
Breite 4.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-MOSFET, bis zu 30 V
MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors
Verwandte Links
- Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 100 A 179 W, 4-Pin LFPAK
- Nexperia PSM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 179 A 115 W, 5-Pin LFPAK
- Nexperia PSM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 240 A 238 W, 5-Pin LFPAK
- Nexperia NextPowerS3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 150 A 106 W, 5-Pin LFPAK
- Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 100 A 130 W, 5-Pin LFPAK
- Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 55 A 45 W, 8-Pin LFPAK
- Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 76 A 106 W, 5-Pin LFPAK
- Nexperia PH8230E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 67 A 62.5 W, 5-Pin LFPAK