Nexperia N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 100 A 130 W, 5-Pin LFPAK
- RS Best.-Nr.:
- 219-492
- Herst. Teile-Nr.:
- PSMN5R5-60YS,115
- Marke:
- Nexperia
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 219-492
- Herst. Teile-Nr.:
- PSMN5R5-60YS,115
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | LFPAK | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 8.3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 130W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 56nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Breite | 4.1mm | |
| Länge | 5mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße LFPAK | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 8.3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 130W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 56nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 1.1mm | ||
Breite 4.1mm | ||
Länge 5mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
The Nexperia N-Channel MOSFET is housed in an LFPAK package and qualified to 175°C. It is designed for a wide range of industrial, communications, and domestic applications. Key uses include motor control, server power supplies, DC-to-DC converters, lithium-ion battery protection and load switching.
Advanced TrenchMOS provides low RDSon and low gate charge
High efficiency in switching power converters
Improved mechanical and thermal characteristics
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