Nexperia N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 55 A 45 W, 8-Pin LFPAK

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
816-6981
Herst. Teile-Nr.:
PSMN9R0-25MLC,115
Marke:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

55A

Drain-Source-Spannung Vds max.

25V

Gehäusegröße

LFPAK

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

11.3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

-20V, +20V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

11.7nC

Maximale Verlustleistung Pd

45W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

900μm

Länge

3.4mm

Breite

2.7mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH

N-Kanal-MOSFET, bis zu 30 V


MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors


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