Nexperia BUK9Y19 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 184 A 85 W, 5-Pin LFPAK
- RS Best.-Nr.:
- 170-5335
- Herst. Teile-Nr.:
- BUK9Y19-55B,115
- Marke:
- Nexperia
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- BUK9Y19-55B,115
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 184A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 55V | |
| Gehäusegröße | LFPAK | |
| Serie | BUK9Y19 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 40mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 85W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 18nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.05mm | |
| Länge | 5mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 184A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 55V | ||
Gehäusegröße LFPAK | ||
Serie BUK9Y19 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 40mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 85W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 18nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.05mm | ||
Länge 5mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- PH
Von der Ansteuerung einer einfachen Lampe bis hin zu den anspruchsvollen Anforderungen an die Leistungsregelung in Motor-, Karosserie- oder Fahrwerksanwendungen – Nexperia Leistungshalbleiter können die Antwort auf viele Probleme mit der Leistung von Automobilsystemen sein.
Für thermisch anspruchsvolle Umgebungen geeignet durch Temperaturbereich bis 175 °C, typische MOSFET-Anwendungen, elektrische Servolenkung, Motormanagement, integrierter Anlassergenerator, Getriebesteuerung, Antiblockiersystem (ABS), Klimaregelung
Logikpegel-N-Kanal Anreicherungstyp-Feldeffekttransistor (FET) für Standardpegel in einem Kunststoffgehäuse mit TrenchMOS-Technologie. Dieses Produkt wurde für den Einsatz in der Automobilindustrie entwickelt.
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