Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 55 A 45 W, 8-Pin LFPAK
- RS Best.-Nr.:
- 165-8683
- Herst. Teile-Nr.:
- PSMN9R0-25MLC,115
- Marke:
- Nexperia
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- 165-8683
- Herst. Teile-Nr.:
- PSMN9R0-25MLC,115
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 55A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 25V | |
| Gehäusegröße | LFPAK | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 11.3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 11.7nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 45W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 3.4mm | |
| Höhe | 0.9mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 55A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 25V | ||
Gehäusegröße LFPAK | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 11.3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 11.7nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 45W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 3.4mm | ||
Höhe 0.9mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- PH
N-Kanal-MOSFET, bis zu 30 V
MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors
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