Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 10.3 A 12.5 W, 4-Pin LFPAK56E

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Herst. Teile-Nr.:
PSMN4R8-100YSEX
Marke:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

LFPAK56E

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

13.6mΩ

Maximale Verlustleistung Pd

12.5W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Nexperia N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET befindet sich in einem LFPAK56E-Gehäuse.

Vollständig optimierter sicherer Betriebsbereich (SOA) für überlegenen linearen Betrieb

Niedriger RDSon für niedrige I2R-Leitungsverluste

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