Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 10.3 A 12.5 W, 8-Pin MLPAK33

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RS Best.-Nr.:
240-1996
Herst. Teile-Nr.:
PXN7R7-25QLJ
Marke:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

25V

Gehäusegröße

MLPAK33

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

13.6mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

12.5W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Nexperia N-Kanal-Verbesserungsmodus-Feldeffekttransistor (FET) in einem MLPAK33 (SOT8002) SMD-Kunststoffgehäuse mit Trench MOSFET-Technologie.

Kompatibel mit Logik-Ebene

Trench-MOSFET-Technologie

Extrem niedrige QG und QGD für hohe Systemeffizienz, insbesondere bei höheren Schaltfrequenzen

Superschnelles Schalten mit weicher Erholung

Geringes Spiking und Klingeln für geringe elektromagnetische Störungen

MLPAK33-Gehäuse (3,3 x 3,3 mm Abmessung)

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