Infineon IQE N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 253 A 81 W, 8-Pin PQFN

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
240-6640
Herst. Teile-Nr.:
IQE065N10NM5ATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

253A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

PQFN

Serie

IQE

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.85mΩ

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Gate-Source-spannung max Vgs

16V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

730mV

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

3.3mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon OptiMOSTM 5 100 V PQFN 3.3x3.3 Source-Down bietet 100 V und einen niedrigen RDS(on) von 6,5 mOhm. Er bietet mehrere Vorteile, wie z. B. eine höhere thermische Leistungsfähigkeit, eine höhere Leistungsdichte oder verbesserte Layout-Möglichkeiten. Darüber hinaus sind die höhere Effizienz, der geringere Bedarf an aktiver Kühlung und das effektive Layout für das Wärmemanagement Vorteile auf Systemebene.

Verbesserte PCB-Verluste

Ermöglicht höchste Leistungsdichte und Leistung

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäss der Datenschutzerklärung verarbeitet.