Infineon IQE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET / 205 A TSON
- RS Best.-Nr.:
- 258-3920
- Herst. Teile-Nr.:
- IQE013N04LM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
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- 258-3920
- Herst. Teile-Nr.:
- IQE013N04LM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 205A | |
| Serie | IQE | |
| Gehäusegröße | TSON | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 35mΩ | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 205A | ||
Serie IQE | ||
Gehäusegröße TSON | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 35mΩ | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der OptiMOS-Leistungs-MOSFET von Infineon ist ein erstklassiger Leistungs-MOSFET, der die Endbenutzererfahrung optimiert, indem er den Status quo in Bezug auf Leistungsdichte und Formfaktor herausfordert. Ein Ziel bei der Konstruktion von Elektrowerkzeugen besteht darin, die internen Einschränkungen der Anforderungen an den Leiterplattenbereich zu minimieren und ein ergonomischeres Design zu ermöglichen. Das Bewegen des Wechselrichters vom Griff in den Kopf minimiert das Volumen des Motorgehäuses des Elektrowerkzeugs und hält gleichzeitig das Drehmoment des Werkzeugs auf einem relativ hohen Niveau für eine schnelle und einfache Aktion.
überlegene thermische Leistung in RthJC
Optimierte Layoutmöglichkeiten
Standard- und Mitteltorabmessungen
Hohe Strombelastbarkeit
Effizientere Nutzung des Leiterplattenbereichs
Höchste Leistungsdichte und Leistung
Optimierte Abmessungen für die MOSFET-Parallelisierung mit Centre-Gate
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