Infineon IQE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 205 A, 9-Pin WHTFN

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

CHF.6.216

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 11’830 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 18CHF.3.108CHF.6.23
20 - 48CHF.2.793CHF.5.60
50 - 98CHF.2.625CHF.5.24
100 - 198CHF.2.426CHF.4.85
200 +CHF.2.268CHF.4.55

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
260-1077
Herst. Teile-Nr.:
IQE013N04LM6CGSCATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

205A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

IQE

Gehäusegröße

WHTFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

9

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die Infineon-MOSFETs ermöglichen die Verbindung des Quellpotenzials mit der Leiterplatte über das thermische Pad, was mehrere Vorteile bietet, wie z. B. erhöhte thermische Kapazität, verbesserte Leistungsdichte oder verbesserte Layoutmöglichkeiten. Es verfügt außerdem über die reduzierten Anforderungen an die aktive Kühlung und das effektive Layout für die thermische Steuerung, was auf Systemebene von Vorteilen ist.

Ermöglicht höchste Leistungsdichte und Leistung

Überlegene thermische Leistung

Optimierte Layoutmöglichkeiten

Verwandte Links