Infineon IQD0 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 151 A 333 W, 9-Pin PG-WHTFN-9
- RS Best.-Nr.:
- 351-911
- Herst. Teile-Nr.:
- IQD063N15NM5CGSCATMA1
- Marke:
- Infineon
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 351-911
- Herst. Teile-Nr.:
- IQD063N15NM5CGSCATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 151A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Serie | IQD0 | |
| Gehäusegröße | PG-WHTFN-9 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 9 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6.32mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 333W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 48nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 0.83V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 0.75mm | |
| Länge | 5mm | |
| Normen/Zulassungen | IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC | |
| Breite | 6 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 151A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Serie IQD0 | ||
Gehäusegröße PG-WHTFN-9 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 9 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6.32mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 333W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 48nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 0.83V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 0.75mm | ||
Länge 5mm | ||
Normen/Zulassungen IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC | ||
Breite 6 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der Infineon Power-MOSFET hat einen niedrigen RDS(on) von 6,32 mOhm, kombiniert mit einer hervorragenden Wärmeleistung für einfaches Verlustleistungsmanagement. Der Center-Gate Footprint ist für die Parallelisierung optimiert. Außerdem kann mit dem doppelseitigen Kühlgehäuse fünfmal mehr Leistung abgeführt werden als mit dem umspritzten Gehäuse. Dies ermöglicht eine höhere Systemeffizienz und Leistungsdichte für eine Vielzahl von Endanwendungen.
Modernste 150-V-Siliziumtechnologie
Hervorragende FOMs
Verbesserte Wärmeleistung
Ultra-niedrig parasitär
Maximiertes Chip- oder Gehäuseverhältnis
Center-Gate-Fußabdruck
Industriestandard-Gehäuse
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